|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B1G73EB0-YK0D0]Код товара: 77271 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5173QH0-YK0)Код товара: 76137 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 2GB DDR3 SODIMM PC3-10600 M471B5773EB0-CH9Код товара: 76608 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 1GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 M471B2873FHS-CH9Код товара: 401404 1 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B1G73CB0-CK0Код товара: 77160 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B1G73DB0-YK0]Код товара: 76542 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-8500 2 Гб (M471B5673EH1-CF8)Код товара: 77964 1 модуль, частота 1066 МГц, CL 7T, тайминги 7-7-7-20, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)Код товара: 76415 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B5173DB0-YK0]Код товара: 76179 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5273EB0-CK0)Код товара: 76414 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273DH0-CK0]Код товара: 76144 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5173BH0-CK0Код товара: 76285 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 [M471B5273CH0-CH9]Код товара: 77953 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B1G73BH0-CK0]Код товара: 77039 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B1G73QH0-YK0]Код товара: 76589 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM CPC3-12800 [M471B5173EB0-YK0]Код товара: 76155 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 2GB DDR3 SODIMM PC3-8500 M471B5673FH0-CF8Код товара: 401373 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1066 МГц, CL 7T, тайминги 7-7-7, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5173CB0-YK0]Код товара: 76592 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5273DH0-YK0Код товара: 401142 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5173BH0-YK0]Код товара: 76787 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5173QHY-YK0Код товара: 77586 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 2GB DDR3 SODIMM PC3-10600 M471B5773DH0-CH9Код товара: 401372 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273CH0-YK0]Код товара: 76717 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5273EB0-YK0Код товара: 77326 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B1G73EB0-YK0Код товара: 363404 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B1G73BH0-YK0Код товара: 76873 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (M471B5773CHS-CH9)Код товара: 77957 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (M471B5273DH0-CH9)Код товара: 401380 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|